Первый антиферромагнитный топологический квантовый материал обнаружен учеными
Первый антиферромагнитный топологический квантовый материал обнаружен учеными

Первый антиферромагнитный топологический квантовый материал обнаружен учеными

Первый антиферромагнитный топологический квантовый материал обнаружен учеными

Специалисты Технологического Университета Дрездена заявили о том, что им удалось впервые обнаружить антиферромагнитный топологический квантовый материал. Квантовые материалы всегда находятся в центре внимания ученых. Они представляют собой сложные явления, связанные с топологией, магнетизмом, сверхпроводимостью. Их понимание особенно важно для современного мира технологий, в котором активно используется обработка разного вида информации, задействована вычислительная техника.

Важные физические свойства квантовых материалов требуют создания определенных, часто невыполнимых условий, в их число входят крайне низкие температуры, невероятно сильные магнитные поля или очень высокий фон давления.


Именно поэтому ученые заняты поиском материалов, способных проявить уникальные квантовые свойства без внешних магнитных воздействий при средней температуре воздуха и нормальном давлении. Они являются источником квазичастиц и уникальных квантовых явлений, но получить их экспериментальным способом крайне сложно. В сотрудничестве с учеными более двадцати профессиональных вузов разных стран мира специалисты открыли новый перспективный квантовый материал.

Для этого была разработана особенная процедура выращивания кристаллов для магнитного топологического материала, аналогов которому в мире нет. Кристаллы на своей поверхности имеют краевое состояние, которое может подойти для квантовой проводимости без воздействия магнитного поля. Используя этот метод команда ученых оптимизировала протокол синтеза для получения нового материала.

Таким образом специалисты решили упростить процесс получения монокристаллов. В итоге специалисты стали очевидцами рождения нового вида магнитных топологических изоляторов. Они полагаются а внутреннюю структуру магнитных компонентов, а не на магнитный допинговый подход.